1 范圍和目的

1.1 范圍

      GB/T 5959.1-2019的本條用以下內(nèi)容代替。

      代替：

      GB/T 5959的本部分規(guī)定了通常由紅外發(fā)射器產(chǎn)生的紅外輻射在裝置內(nèi)明顯超過熱對(duì)流和熱傳導(dǎo)，作為傳熱方式，向被處理材料傳遞能量的工業(yè)電熱設(shè)備和裝置的安全要求。范圍的進(jìn)一步限制是在空氣或真空中最大光譜輻射波長(zhǎng)在780nm以上，且通過諸如熱輻射或高壓電弧發(fā)射寬波段連續(xù)光譜的紅外發(fā)射器。

      GB/T 5959.1-2019將紅外定義為頻率范圍在大約400 THz～300 GHz之間的光學(xué)輻射。在真空中的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)范圍在780nm～10μm。工業(yè)紅外加熱通常使用額定溫度在500℃～3000℃的紅外源，從這些紅外源發(fā)出的輻射主要位于780nm～10μm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

      由于大量的熱發(fā)射器的發(fā)射波長(zhǎng)可能低于780nm或高于3000 nm，所以本部分同樣考慮了可見光和波長(zhǎng)超過3000nm的輻射的安全方面的問題。

      本部分不適用于：

      ——以激光或發(fā)光二極管（LED）作為主要輻射源的紅外裝置-GB/T 20145-2006 及IEC 60825-1：2014［2］適用于此類裝置；

      ——公用電器用具；

      ——實(shí)驗(yàn)室用電器用具-IEC 61010-1：2010［3］適用于此類器具；

      ——電阻加熱裸導(dǎo)線、電熱管或電熱棒作為加熱元件，且紅外輻射并非預(yù)期應(yīng)用中占支配地位的副作用的電熱裝置，由GB 5959.4-2008［］規(guī)定；

      ——所有紅外發(fā)射器的標(biāo)稱總功率小于250 W的紅外加熱設(shè)備；

      ——手持紅外設(shè)備。

      本部分范圍內(nèi)的工業(yè)紅外電熱設(shè)備通常利用焦耳效應(yīng)，通過一個(gè)或多個(gè)輻射源，將電能轉(zhuǎn)化為紅外輻射，然后從一個(gè)或多個(gè)元件將輻射發(fā)射到被處理的材料上。以下紅外加熱元件更是如此：

      ——內(nèi)部具有電阻元件的管狀、板狀或其他形狀的陶瓷熱紅外發(fā)射器；

      ——以高溫?zé)艚z作為輻射源的紅外石英玻璃管或鹵素?zé)舭l(fā)射器；

      ——由二硅化鉬、碳化硅、石墨、鐵鉻鋁合金、耐火金屬或類似材料制成的非絕緣元件；

      ——寬光譜電弧燈。

1.2 目的

      GB/T 5959.1-2019的本條適用。

2 規(guī)范性引用文件

      下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

      除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。

      增加：

      GB/T 5959.1-2019 電熱和電磁處理裝置的安全 第1部分：通用要求（IEC 60519-1：2015，IDT)

3 術(shù)語(yǔ)和定義

      除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。

      補(bǔ)充：

3.1 一般概念

3.1.101

      紅外輻射 infrared radiation

      波長(zhǎng)大于可見輻射波長(zhǎng)的光學(xué)輻射。

      注1：780nm～1mm范圍內(nèi)的紅外輻射通常分為：

      IR-A：780nm～1400nm，或者表面溫度在3450℃～1800℃的灰體發(fā)射器；

      IR-B：1 400 nm～3000 nm，或者表面溫度在1800℃～690℃的灰體發(fā)射器；

      IR-C：3 000nm～1mm，或者表面溫度低于690℃的灰體發(fā)射器。

      溫度與邊界波長(zhǎng)下的最大強(qiáng)度光譜相對(duì)應(yīng)。

      上述范圍與GB/T 20145-2006一致。

      注2：在GB/T 2900.83-2008中定義了下列術(shù)語(yǔ)：

      841-24-04：短波紅外輻射或近紅外輻射（780nm～2μm）；

      841-24-03：中波紅外輻射或中紅外輻射（2μm～4μm）；

      841-24-02：長(zhǎng)波紅外輻射或遠(yuǎn)紅外輻射（4μm～1mm）．

      本部分沒有采用這些術(shù)語(yǔ)。

      ［來源：GB/T 20145-2006,3.14，修改-修改了注1且增加了注2］

3.1.102

      紅外加熱 infrared heating

      由專門制造的設(shè)備發(fā)射，以吸收熱輻射和光輻射，大部分是紅外輻射形式進(jìn)行的加熱。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-05，修改-對(duì)定義進(jìn)行了編輯性改動(dòng)］

3.2 設(shè)備和設(shè)備狀態(tài)

3.2.101

      紅外裝置 infrared installation

      紅外電熱裝置 infrared electroheating installation

      利用紅外加熱完成工件處理的電熱裝置。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-09，修改-增加了另一個(gè)同義術(shù)語(yǔ)，縮短了定義］

3.2.102

      紅外發(fā)射器 infrared emitter

      發(fā)射紅外輻射的元件。

      注：這種元件通常是可替換的。

3.2.103

      紅外源 infrared source

      通過焦耳效應(yīng)將電能轉(zhuǎn)換成熱或輻射的紅外發(fā)射器的一部分。

3.2.104

      燈絲 filament

      使電能在其中通過焦耳效應(yīng)轉(zhuǎn)換成熱能的紅外發(fā)射器的導(dǎo)線或線狀物。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-27，修改-定義變得明晰］

3.2.105

      紅外陶瓷加熱器 infrared ceramic heater

      由陶瓷材料制成或覆蓋的紅外發(fā)射器。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-13，修改-縮短了定義］

3.2.106

      管狀紅外發(fā)射器 tubular infrared emitter

      具有一種基本尺寸（長(zhǎng)）的紅外發(fā)射器。

      注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是直線型或彎曲的。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-24，修改-縮短了定義，增加了注］

3.2.107

      板狀紅外發(fā)射器 infrared plate emitter

      具有兩種基本尺寸（長(zhǎng)，寬）的紅外發(fā)射器。

      注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是平面或是曲面的。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-25，修改-縮短了定義，增加了注］

3.2.108

      紅外石英發(fā)射器 infrared quartz emitter

      紅外源在石英玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器。

      注：由類似維克玻璃的硬質(zhì)玻璃制成的玻璃殼也包括在內(nèi)。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-26，修改-縮短了定義，增加了注］

3.2.109

      鹵素?zé)舭l(fā)射器 halogen lamp emitter

      鎢絲位于充有鹵素氣體的氣密性玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器，鹵素很活躍地將玻璃內(nèi)壁上的鎢轉(zhuǎn)移到鎢絲上。

      注：鹵素?zé)舭l(fā)射器是典型的紅外石英發(fā)射器。

      ［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-22，修改-定義變得明晰，增加了注］

3.2.110

      紅外反射器 infrared reflector

      反射并對(duì)紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無源、非透射組件。

      注：反射器可以是紅外發(fā)射器的一部分，可能進(jìn)行鏡反射或漫反射。

3.2.111

      紅外折射器 infrared refractor

      匯聚并對(duì)紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無源、透射組件。

      注：折射器可以是紅外發(fā)射器的一部分。

3.2.112

      紅外波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器 infrared wavelength converter

      在正常工作中被紅外輻射加熱到一定溫度的紅外裝置內(nèi)的元件，其自身發(fā)射的輻射參與工件的

加熱。

      注：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器的光譜具有比紅外發(fā)射器的主輻射波長(zhǎng)長(zhǎng)很多的波長(zhǎng)。

3.2.113

      紅外模塊 infrared module

      裝有一個(gè)或多個(gè)紅外發(fā)射器的組件。

      注：這種模塊可以包括反射器、折射器、濾波器或其他保護(hù)發(fā)射器及冷卻裝置的措施。

3.2.114

      額定溫度 rated temperature

      紅外燈絲或紅外發(fā)射器在額定電壓下的最高表面溫度。

      注1：該溫度被用來確定熱紅外發(fā)射器的光譜輻射。

      注2：該溫度在正常工作條件下適用。

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